电容石英晶振（石英晶体在电容三点式振荡电路中起电感作用）

小圈 2024-02-26 168次阅读

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1、石英晶体振荡器的振荡原理基于石英晶体的压电效应。压电效应是指当外力施加于石英晶体时，它会产生电荷，在外力去除后，电荷会消失。这种电荷产生的能量是由晶体的弹性势能转化而来的。当电荷移动时，它会产生电压。

2、只提供+5V电源，电容和电阻，晶振是振不起来的，除非再加上三极管之类的放大元件。

3、它通常由一块石英晶体和两个电子晶体管组成。当电流流过石英晶体时，石英晶体会发出频率为某一特定值的振荡。这种振荡可以用来产生高频电信号。

电容石英晶振（石英晶体在电容三点式振荡电路中起电感作用）

1、石英晶振频率在外壳上写着呢，没有人去计算，按照手册规定的负载电容选用外部电容就是了。即使你不按规矩来，给它乱串、并电容，频率改变也是极小的，不会超过千分之一，否则它就躺倒不干（不起振）了。

2、当频率高于fS时，L，C，R支路呈感性，可与电容C0发生并联谐振，并联谐振频率为：fp=fs*sqrt（1+C/C0）；注：sqrt表示开方运算。

3、在电路分析中，晶体等效电路是动态电阻R电容C电感串联L1，然后与静态电容C0并联。串联谐振频率就是LC1的谐振频率。并联谐振频率就是考虑进去C0后的谐振频率。

电容符号为C，单位法拉，常见的为Uf，作用是滤波、储能、通交流阻直流晶振符号一般为Y，单位为HZ，为各种芯片提供基准时钟频率。电感符号L，单位为亨，常见标识为600R@100MHZ，即频率为100MHZ是表现的阻值为600欧。

电容能存储电荷的器件可以做滤波，耦合，旁路等。

晶体振荡器，简称晶振。在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振，较高的频率是并联谐振。

，电感有镇流作用，对交流电有阻碍作用。还可以利用感应电动势获得较高的电压（日光灯里有用的）2 ，电容通交流，阻值流，电子电路中长用它来滤波，滤去直流成分，保留交流成分。电容还是提高功率因数常用的元件。

这是三种完全不同的元器件。一般来说，电容的使用要比晶振、电感更多一些。作用可就复杂了，仅仅电容这种器件，就有超过十种不同的作用，这个要根据电路进行分析才知道了。

晶振一般叫做晶体谐振器，是一种机电器件，是用电损耗很小的石英晶体经精密切割磨削并镀上电极焊上引线做成。

同种频率情况下，负载电容越小，频率误差（即常温频差）相对越大。对于高频小负载的产品，这种现象尤为明显。

负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。

晶振旁边接的两个电容，作用是负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。普通单片机的晶体振荡器在并联谐振状态下工作，这也可以理解为谐振电容器的一部分。

通常负载电容的值越大对频率所产生的牵引越小，需要注意的是，如果负载电容过小则可能造成振荡电路起振困难，同时使用小的负载电容时，电容值稍有变化时会造成频率产生较大的漂移。

正常情况下你的电容应该配到20PF左右配晶振15PF ，但是因为像32。768K的产品生产厂家的标准基本上都是不一样的，所以都会存在一定的偏差。另外说你的R52电阻的选择，一般KHZ级的都是用1M，MHZ级别的用10M。

你用一个十几P的或者几十P的电容，问题不大，主要是影响波形的幅度，高一点低一点MCU能够检测到就好了。如果要细究的话就需要计算了。

M匹配的负载电容可以有9PF，12PF，16PF，20PF，如果是外接电容那么至少要大一倍。

无源晶振的负载电容，其实也是匹配电容，所以，要根据晶振上给出的电容来匹配就可以了。一个12m晶振的负载电容为15pf，那么在匹配15pf的电容是，晶振输出的才是12m。

最好按照所提供的数据来，如果没有，一般是30pF左右。太小了不容易起振。在某些情况下，也可以通过调整这两个电容的大小来微调振荡频率，当然可调范围一般在10ppm量级。

若取中心值15pF，则C1，C2各取30pF可得到其串联等效电容值15pF。同时考虑到还另外存在的电路板分布电容，芯片管脚电容，晶体自身寄生电容等都会影响总电容值，故实际配置C1，C2时，可各取20～15pF左右。

1、晶振是石英振荡器的简称，英文名为Crystal，它是时钟电路中最重要的部件，它的作用是向显卡、网卡、主板等配件的各部分提供基准频率，它就像个标尺，工作频率不稳定会造成相关设备工作频率不稳定，自然容易出现问题。

2、增大C0，可以使石英晶体的并联谐振频率fp更加接近串联谐振频率fs。因此，可以在石英晶体的两端并联一个电容，使频率更加稳定或达到微调频率的目的。

3、图中，C4是微调电容，用来微调振荡频率C5是耦合电容，R5是负载电阻。很显然，R5越小，负载越重，输出振荡幅度将越小。图4-1晶体振荡器交流通路实验电路如图4-2所示。