晶振电容的选择（晶振电容怎么选）

小圈 2024-03-04 310次阅读

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1、一般20~33pf都可以的，目的只是形成振荡器。

2、晶振装板上不行，用电热风催一下或者拆下来重新装上去又可以了---主要是晶振负载与两端电容不匹配造成频率偏差太大。电热风催实际是相当于改变了线路的杂散电容。

3、不是谐振电容，是耦合电容。根据通过的频率，大致的。

正常情况下你的电容应该配到20PF左右配晶振15PF ，但是因为像32。768K的产品生产厂家的标准基本上都是不一样的，所以都会存在一定的偏差。另外说你的R52电阻的选择，一般KHZ级的都是用1M，MHZ级别的用10M。

-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影响不大，常用的4M和12M以及10592M和20M 24M都用的30P，单片机内部有相应的整形电路。

晶振电路常用的负载电容是6pf~10pf，12pf，15pf，16pf，18pf和20pf，22pf和30pf比较大，一盘是外围电容才用这么大的。

晶振电容的选择（晶振电容怎么选）

-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影响不大，常用的4M和12M以及10592M和20M 24M都用的30P，单片机内部有相应的整形电路。

这个好像没有固定的计算方法，大多靠经验来选择，无源晶振的匹配电容一般最好选择两个不等值的电容，一大一小可以加快起振。在许可范围内尽量选小一些的电容，大些的电容虽有利于振荡的稳定，但会增加起振时间。

电源滤波电容根据电源情况，比如47uf、100uf；复位电容10uf；复位电阻10k；晶振匹配电容根据晶振频率，一般是30p。

1、最好的方法是PCB板上设有两个针孔使用铜线捆绑晶振。或者使用橡胶粘结剂进行。2).晶振弯脚时随意弯曲。

2、高频晶振，30pf；低频晶振，100pf；串联晶振，无穷大（即不用电容）。根据振荡需要，可以把负载电容分解为几个，例如用100pf串联47pf代替30pf负载电容，可以与晶体管构成电容三点式振荡回路。

3、无源晶振的负载电容，其实也是匹配电容，所以，要根据晶振上给出的电容来匹配就可以了。一个12m晶振的负载电容为15pf，那么在匹配15pf的电容是，晶振输出的才是12m。

4、大家在选择负载电容时，可以按照电容的具体大小计算公式是(C1*C2)/(C1+C2)+24。这个计算公式只是一种方法知道电容的大小，但是最好按照晶振厂家所配对好的负载电容值，这样会减少很多其他干扰。

5、KHz的话，往往是圆柱形3*8或者2*6封装，匹配电容选15pF的；M级的晶振，比如4MHz，10592MHz，往往是选择49S封装的，匹配电容选20pF的。具体还是看你们自己电路板上设计的电容之类的情况。

6、晶振的负载电容是分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十PF。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，一般客户向我们询问晶振时我们都会问他们所需晶振的负载电容是多少。

至于电感和电容，电感一般可用磁珠，电容配置可以，1000pF的电容最好用高频特性好的电容，如：云母电容、陶瓷电容、聚苯乙烯薄膜电容等。电子线路中的晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。

电容的本质是通交流隔直流，理论上说电源滤波用电容越大越好。

电感的阻抗与频率成正比，电容的阻抗与频率成反比。所以电感可以阻扼高频通过，电容可以阻扼低频通过.二者适当组合，就可过滤各种频率信号。如在整流电路中，将电容并在负载上或将电感串联在负载上，可滤去交流纹波。

一般输出几百mA的话，低频大电容滤波用1000uF/50v；100mA以下220uF/50V；500mA以上到1A用2200uF/50V；高频滤波：如果是插件Cbb或CL电容，104-103(0.1-0.01uF)/63V；如果贴片陶瓷电容，0.1-0.01uF/50V。

总的看，电容和电感都是储能元件，电容和电感滤波的原理都是利用它们可以储能的特点。

电容根据谐振点的不同，在谐振点上阻抗最小，一般在线路上加接地电容滤波；电感主要起扼制高频信号的作用。常见的是LC、RC滤波。另外，关于电容和电感如何选择的问题，是根据你所需要的通频带来计算的。

-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影响不大，常用的4M和12M以及10592M和20M 24M都用的30P，单片机内部有相应的整形电路。

常用的是晶体，需要配合两个瓷片电容，一般15pF~33pF，和单片机，电路正确，器件正常，上电就开始起振。但不会起震。晶振上电就可以独立输出信号，不需要其它器件配合。有些单片机内部也有振荡电路，上电就开始起振。

选择非电解电容，一般使用陶瓷电容，常见的单片机选择22pF即可。