晶振的负载电容（晶振的负载电容怎么选取）
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晶振中的负载电容起什么作用?
晶振旁边接的两个电容，作用是负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。普通单片机的晶体振荡器在并联谐振状态下工作，这也可以理解为谐振电容器的一部分。
单片机晶振电路中接在晶振旁的两个电容叫负载电容，它的作用是负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。
晶振负载电容值指的是晶振的交流电路中参与振荡与晶振串联或者并联的负载电容值。晶振的电路频率主要是有晶振自身决定，既然负载电容参与电路振荡，肯定会对频率多少起到微调作用。负载电容值越小，振荡电路就会反而越高。
晶振要配多大的电容比较合适?
-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影响不大，常用的4M和12M以及10592M和20M 24M都用的30P，单片机内部有相应的整形电路。
正常情况下你的电容应该配到20PF左右配晶振15PF ，但是因为像32。768K的产品生产厂家的标准基本上都是不一样的，所以都会存在一定的偏差。另外说你的R52电阻的选择，一般KHZ级的都是用1M，MHZ级别的用10M。
如果要细究的话就需要计算了。MCU内部的电容，晶振本身的电容，电路板的电容，然后按照相应的公式去计算，得出接多少电容是最合适的，可以使波形的幅度最大。这个自己选择吧。
一般选择晶振的电容值要比引脚杂散电容高8~10倍，来减少杂散电容影响。 一般IC引脚杂散电容2~3pF，所以应该选择16~30PF的电容比较合适。晶振大小其实影响不大。我们一般选择27P电容。
匹配电容：负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。
晶振都有各自的特性，还是要结合实现来判断电容的大小值。在两者内，C1和C2值越低越好。最好C2值大于C1值，C2值偏大虽有利于振荡器的稳定，比较常用的取值是15p-30p之间。
晶振的负载电容和外接电容怎么区分?
1、电容不同。CL是石英晶体谐振器的负载电容，CS指杂散电容，包括IC内部的杂散容值、电路板布线间的电容量、PCB板各层之间的寄生电容等。负载电容CL不等于外接电容。负载电容CL指的是晶振的一个内部重要电气参数。
2、负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。就是由两个存在电压差而又相互绝缘的导体所构成。
3、这两个电容叫晶振的负载电容，分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十皮发。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，也是使振荡频率更稳定。实际上就是电容三点式电路的分压电容， 接地点就是分压点。
为什么晶振两端要外接两个电容呢
因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一致，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。
这两个电容叫晶振的负载电容，分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十皮发。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，也是使振荡频率更稳定。实际上就是电容三点式电路的分压电容， 接地点就是分压点。
两个电容的取值都是相同的，或者说相差不大，如果相差太大，容易造成谐振的不平衡，容易造成停振或者干脆不起振 。晶振负载电容值指的是晶振的交流电路中参与振荡与晶振串联或者并联的负载电容值。
单片机晶振电路中接在晶振旁的两个电容叫负载电容，它的作用是负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。
输出是正玄波晶体等效于电感，加两个槽路分压电容，输入端的电容越小，正反馈 量越大。负载电容每个晶振都会有的参数，例如稳定度是多少PPM，部分人会称之为频差，单位都是PPM，负载电容是多少PF等。
你好，晶振旁边的小电容的作用很明显，当电路刚刚上电的时候，晶体是不会震荡，由于小电容的存在，晶体会慢慢震动，很快就到达规定的频率，信号就输入到单片机。小电容是辅助起震的作用。
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