郑州本地晶振电容（郑州电容器厂）

小圈 2024-02-18 157次阅读

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-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影响不大，常用的4M和12M以及10592M和20M 24M都用的30P，单片机内部有相应的整形电路。

正常情况下你的电容应该配到20PF左右配晶振15PF ，但是因为像32。768K的产品生产厂家的标准基本上都是不一样的，所以都会存在一定的偏差。另外说你的R52电阻的选择，一般KHZ级的都是用1M，MHZ级别的用10M。

如果要细究的话就需要计算了。MCU内部的电容，晶振本身的电容，电路板的电容，然后按照相应的公式去计算，得出接多少电容是最合适的，可以使波形的幅度最大。这个自己选择吧。

一般选择晶振的电容值要比引脚杂散电容高8~10倍，来减少杂散电容影响。一般IC引脚杂散电容2~3pF，所以应该选择16~30PF的电容比较合适。晶振大小其实影响不大。我们一般选择27P电容。

单片机晶振电路中两个电容（负载电容）的作用是把电能转换成其他形式的能。如果没这两个电容的话，振荡部分会因为没有回路而停振。电路不能正常工作了。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。

输出是正玄波晶体等效于电感，加两个槽路分压电容，输入端的电容越小，正反馈量越大。负载电容每个晶振都会有的参数，例如稳定度是多少PPM，部分人会称之为频差，单位都是PPM，负载电容是多少PF等。

也能保证温漂等误差。两个电容的取值都是相同的，或者说相差不大，如果相差太大，容易造成谐振的不平衡，容易造成停振或者干脆不起振。晶振负载电容值指的是晶振的交流电路中参与振荡与晶振串联或者并联的负载电容值。

单片机晶振电路中接在晶振旁的两个电容叫负载电容，它的作用是负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。

这两个电容叫晶振的负载电容，分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十皮发。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，也是使振荡频率更稳定。实际上就是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点。

郑州本地晶振电容（郑州电容器厂）

1、电容不同。CL是石英晶体谐振器的负载电容，CS指杂散电容，包括IC内部的杂散容值、电路板布线间的电容量、PCB板各层之间的寄生电容等。负载电容CL不等于外接电容。负载电容CL指的是晶振的一个内部重要电气参数。

2、负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。就是由两个存在电压差而又相互绝缘的导体所构成。

3、这两个电容叫晶振的负载电容，分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十皮发。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，也是使振荡频率更稳定。实际上就是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点。

4、负载电容值越小，振荡电路就会反而越高。晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片），石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振；而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。

负载电容。一般单片机的晶振工作于并联谐振状态，也可以理解为谐振电容的一部分。它是根据晶振厂家提供的晶振要求负载电容选值的，换句话说，晶振的频率就是在它提供的负载电容下测得的，能最大限度的保证频率值的误差。

晶振旁边接的两个电容，作用是负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。普通单片机的晶体振荡器在并联谐振状态下工作，这也可以理解为谐振电容器的一部分。

问题九：单片机最小系统为什么晶振要加电容晶振旁边的电容有协助起振与稳定振荡的作用。一般频率高的会用较低的电容、频率低的会用较高的电容。电容过大会使信号衰减、并因吸收能量过大而抑制振汤。

你好，晶振旁边的小电容的作用很明显，当电路刚刚上电的时候，晶体是不会震荡，由于小电容的存在，晶体会慢慢震动，很快就到达规定的频率，信号就输入到单片机。小电容是辅助起震的作用。

晶振在应用具体起到的作用，微控制器的时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；RC（电阻、电容）振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置晶振，适用于晶振和陶瓷谐振槽路。

负载电容，是用来纠正晶体的振荡频率用的；有人说是启振电容；有人说起谐振作用的。泰河电子刘工给大家分析：电容与内部电路共同组成一定频率的振荡，这个电容是硬连接，固定频率能力很强，其他频率的干扰就很难进来了。