irf540中文资料 rf540场效应管参数

本文目录

1. lrf540场效应管参数
2. irf540n引脚图参数
3. lrf540n参数与代换
4. rf540场效应管参数
5. IRF540的具体使用说明
6. f540ns参数

lrf540场效应管参数

irf540n参数列表如下：

晶体管极性:N沟道

漏极电流，Id最大值:33A

电压，Vds最大:100V

开态电阻，Rds(on):0.04ohm

电压@Rds丈量:10V

电压，Vgs最高:10V

功耗:94W

封装类型:TO-220AB

针脚数:3

功率，Pd:120W

器材符号:IRF540N

引脚节距:2.54mm

晶体管数:1

irf540n引脚图参数

你好，IRF540N引脚图参数如下：

1、针脚数：3；

2、功率Pd：120W；

3、引脚节距：2.54mm；

4、满功率温度：25°C；

5、功耗：94W。

IRF540N的生产厂家是SANYO、IR、VISHAY等，封装类型为TO-220AB。

lrf540n参数与代换

IRF540N参数：

1、针脚数：3；

2、功率Pd：120W；

3、引脚节距：2.54mm；

4、满功率温度：25°C；

5、功耗：94W。

IRF540N的生产厂家是SANYO、IR、VISHAY等，封装类型为TO-220AB。

IRF540N可用用场效应管IRF640代换

rf540场效应管参数

参数如下：

晶体管极性:N沟道

漏极电流,Id最大值:33A

电压,Vds最大:100V

开态电阻,Rds(on):0.04ohm

电压@Rds丈量:10V

电压,Vgs最高:10V

功耗:94W

封装类型:TO-220AB

针脚数:3

功率,Pd:120W

器材符号:IRF540N

引脚节距:2.54mm

晶体管数:1

晶体管类型:MOSFET

温度@电流丈量:25°C

满功率温度:25°C

热阻,结至外壳A:1.1°C/W

电压Vgs@Rdson丈量:10V

电压,Vds典型值:100V

电流,Id接连:27A

电流,Idm脉冲:110A

阈值电压,Vgsth典型值:4V

IRF540的具体使用说明

这就是一个大电流（30A）、较高耐压（100V）、低导通电阻（0.077Ω）的N沟道场效应管。

用法和其他N沟道场效应管差不多。

f540ns参数

f540ns采用的是三星880处理器，这款处理器采用的是三星八纳米制程工艺，支持5G双模全网通功能。

这款手机采用的是一块6.4英寸的OLED三星屏，支持屏幕指纹解锁，还支持屏幕高刷。另外它内置了4000毫安电池，支持25w的快速充电。支持30w的无线充电。