光电导 什么是相对光电导
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光敏电阻光照在半导体的哪里
光敏电阻器通常由光敏层、玻璃基片（或树脂防潮膜）和电极等组成。光敏电阻器在电路中用字母“R”或“RL”、“RG”表示。
通常，光敏电阻器都制成薄片结构，以便吸收更多的光能。当它受到光的照射时，半导体片（光敏层）内就激发出电子—空穴对，参与导电，使电路中电流增强。为了获得高的灵敏度，光敏电阻的电极常采用梳状图案，它是在一定的掩膜下向光电导薄膜上蒸镀金或铟等金属形成的。
pd光电二极管原理
pd光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。
光电二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。
它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光电二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。
什么叫半导体光电材料
半导体光电器件是指把光和电这两种物理量联系起来，使光和电互相转化的新型半导体器件。
即利用半导体的光电效应（或热电效应）制成的器件。光电器件主要有，利用半导体光敏特性工作的光电导器件，利用半导体光伏打效应工作的光电池和半导体发光器件等。
半导体光电器件包括有如光导管、光电池、光电二极管、光电晶体管等；半导体热电器件如热敏电阻、温差发电器和温差电致冷器等。
什么是相对光电导
相对光电导
光吸收使半导体形成非平衡载流子，而载流子浓度的增大必须使样品电导率增大，这种由光照引起半导体电导率增加的现象称为光电导效应。本征吸收引起电导称为本征光电导。
当半导体材料受光照时，由于对光子的吸收引起载流子浓度的变化，导致材料电导率的变化，这种现象称为光电导效应。
当光子能量大于材料禁带宽度时，将价带中的电子激发到导带，在价带中留下自由空穴，从而引起材料电导率的变化，称为本征光电导效应；杂质半导体中，被束缚在杂质能级上未被激发的载流子吸收光子能量后，使电子从施主能级跃迁到导带或从价带跃迁到受主能级，产生光生自由电子或空穴，从而引起材料电导率的变化，则称为杂质光电导效应
光电探测器全称叫什么
光电探测器
光电探测器是电磁检测能量传感器。它也被称为光电传感器或光接收元件。
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使用外部光电效应
当光电倍增管（光电倍增管，PMT）暴露在光线下时，电子从光电阴极发出并被倍增极放大。
光电管从光电阴极当暴露于光电子弹出，光致抗蚀剂示出了行为类似。
使用内部光电效应
利用内部光电效应的大多数设备都使用半导体作为元素材料。内部光电效应的类型很多，但是使用光电导效应和光电效应的检测器是主流。
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光电导类型
光电导类型包括使用本征半导体的本征光电导电池和使用杂质半导体的杂质光电导电池。
内光电传感器有哪些
光电效应可以分为外光电效应、内光电效应(包括：光电导效应、光生伏特效应)三种类型。光电式传感器主要是利用光电导效应(光敏电阻、光电二极管、三极管)以及光生伏特效应（光电池）器件做成的传感器
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