mos驱动 mos管驱动电压是多少

本文目录

1. mos和igbt驱动电路的区别
2. mos是电流驱动还是电压驱动
3. 5V能驱动mos管吗
4. mos管驱动电流怎么计算
5. mos管驱动电压是多少
6. mos管驱动电流一般多少

mos和igbt驱动电路的区别

结构不同:MOS管是一种场效应管,由栅极、漏极和源极组成,栅极和漏极之间是一个p型或n型沟道。而IGBT是由一个n型沟道和一个pnp结构组成,它由一个门极、一个集电极和一个发射极组成,其中集电极和发射极之间是一个n型沟道。

工作原理不同:MOS管的栅极电压控制通道电阻,从而控制漏极电流;而IGBT的控制极(门极)控制n型沟道的导电性质,从而控制集电极和发射极之间的导通电阻,从而控制集电极电流。

mos是电流驱动还是电压驱动

IGBT驱动电路是通过驱动电源、门极电阻、门极电容等使IGBT实现开通和关断。IGBT开通时，电压会通过IGBT加在负载上，如电机电感。通过合理控制开通时间使电感电流达到需要的值。

另外，驱动电路一般还需要集成保护功能，如短路保护、VGE钳位、VCE电压钳位等；

5V能驱动mos管吗

5V能驱动mos管，但大型的mos管不行。

如果开关速度不高的话，5V单片机可以直接驱动MOS管，速度高时加一级普通三极管放大。因大功率场效应管栅极理论上不需要电流，但高速工作时，栅极电容（可达几千皮法）需快速充放电，因此会需消耗数毫安至几十毫安电流。

mos管驱动电流怎么计算

第一种、

可以使用如下公式估算，

Ig=Qg/Ton

其中，

Ton=t3—t0≈td(on、+trtd。on，，MOS导通延迟时间。从有驶入电压上升到10，开始到VDS下降到其幅值90、的时间.

Tr:上升时间.输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间

Qg=(CEI)。VGS。或Qg=Qgs+Qgd+Qod，可在datasheet中找到)

第二种、。第一种的变形，

密勒效应时间(开关时间、Ton/off=Qgd/Ig、

Ig=[Vb—Vgs(th，]/Rg。

Ig、MOS栅极驱动电流。Vb:稳态栅极驱动电压;

第三种，

以IR的IRF640为例。看DATASHEET里有条TotalGateCharge曲线.该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通。密勒效应，假定你希望在0。2us内使管子开通,估计总时间。先上升然后水平再上升)为0。4us,由Qg=67nC和0.4us可得。67nC/0。4us=0.1675A,当然。这是峰值，仅在管子开通和关短的各0。2us里有电流,其他时间几乎没有电流、平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢.

mos管驱动电压是多少

30V以下5v以上。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

mos管驱动电流一般多少

答案：mos管驱动电流一般为几十毫安到几百毫安不等。分段解析：1.MOS管的驱动电流是指控制MOS管导通或截止所需的电流。2.驱动电流的大小与MOS管的型号、工作电压、负载电流等因素有关。3.一般来说，MOS管的驱动电流在几十毫安到几百毫安之间，具体数值需要根据具体情况进行计算和选择。